E-mail рассылка

Вчера
07.12.2016
08.04.2016, 10:54 286

На этой неделе Samsung объявила, что освоила серийное производство 8-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM с использованием техпроцесса «10-нм класса». Данная память является главным претендентом на применение в iPhone следующего поколения, которые будут представлены осенью этого года.

Микросхемам памяти переход на более совершенные технологические процессы нужен для того же, для чего и центральным процессорам: снижения себестоимости производства и энергопотребления, повышения плотности и быстродействия. Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (заявлены 3200 Мбит/с).

Samsung признаёт, что прогресс потребовал от компании преодоления некоторых технических барьеров. В итоге, выпускаемая память не только увеличила скорость с DDR4-2400 до DDR4-3200, но и снизила уровень энергопотребления на 10-20% по сравнению с аналогичными микросхемами «20-нм поколения».

Отеметим, что Samsung является единственным поставщиком оперативной памяти для iPhone 6s и iPhone 6s Plus, в которой реализована технология 20-нанометрового класса.

 

Информация предоставлена ресурсом IGate по материалам appleapple

Комментарии