Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) объявила о начале массового производства своей пятой генерации технологии DRAM. Новая платформа получила название G5 и, по утверждению производителя, должна приблизить китайские микросхемы оперативной памяти к продукции ведущих мировых компаний отрасли. Первые решения на ее основе — чипы LPDDR5X — уже выпускаются серийно и предназначены для смартфонов, ноутбуков и другой портативной электроники.
Заявление прозвучало на Всемирной производственной конвенции 2026 года. CXMT утверждает, что новая технология обеспечивает существенный прирост плотности производства и энергоэффективности, а ее производственные возможности сопоставимы с наиболее современными серийными технологиями DRAM.
Что такое платформа G5
DRAM — это разновидность энергозависимой памяти, которая используется компьютерами и смартфонами для временного хранения данных, необходимых процессору. В мобильных устройствах особенно важна версия LPDDR — Low-Power DDR, оптимизированная по энергопотреблению.
Главная задача разработчиков DRAM заключается в том, чтобы разместить как можно больше ячеек памяти на минимальной площади кристалла, одновременно сохранив приемлемую производительность, надежность и энергопотребление.
Именно на увеличение плотности направлена значительная часть нововведений G5. CXMT заявляет, что новая платформа позволяет получать на одной кремниевой пластине примерно на 50% больше кристаллов, чем предыдущее поколение. Чем больше готовых микросхем можно получить из одной пластины, тем эффективнее используется дорогостоящий производственный процесс.
Как работает новая технология
Одним из ключевых нововведений стала технология самосовмещенного четырехкратного формирования рисунка — Self-Aligned Quadruple Patterning, или SAQP.
Если не углубляться в физику производства полупроводников, ее задача довольно проста: получить чрезвычайно мелкие элементы схемы там, где обычных методов литографии уже недостаточно.
Для массива памяти CXMT указывает величину half-pitch активной области 11,95 нм. Это расстояние характеризует плотность расположения элементов структуры памяти и показывает, насколько компактно производителю удалось разместить их на кристалле.
Компания также переработала структуру материалов внутри ячеек памяти. В частности, заявлено соотношение сторон конденсаторов массива 45:1. Кроме того, G5 использует оптимизированный для DRAM процесс с высоко-K диэлектриком и металлическим затвором, что позволило уменьшить высоту базового массива ячеек до 6762 нм.
Все эти изменения преследуют одну цель: сделать отдельные элементы памяти меньше и одновременно увеличить количество памяти, которое можно разместить на кристалле.
«Цифровой двойник» помог ускорить разработку
Еще одна интересная особенность G5 связана уже не столько с физической структурой микросхемы, сколько с самой методикой ее разработки.
CXMT создала цифрового двойника новой технологии — виртуальную модель производственного процесса. Такой подход позволяет еще до изготовления реальных образцов моделировать различные варианты конструкции, производства и контроля выхода годных чипов.
По словам компании, виртуальная разработка помогла ускорить создание более сложных моделей технологического процесса. Иными словами, часть экспериментов можно сначала провести в цифровой среде, а уже затем переносить наиболее перспективные решения в реальное производство.
Для современной полупроводниковой промышленности это особенно важно: каждый эксперимент с настоящими кремниевыми пластинами обходится дорого, а сложность производства постоянно растет.
Первые чипы получили на 50% больше памяти
На базе G5 CXMT уже производит два новых варианта LPDDR5X.
Каждый кристалл имеет емкость 24 Гбит, что на 50% больше, чем у соответствующих продуктов предыдущего поколения компании. Новые микросхемы рассчитаны прежде всего на смартфоны, ноутбуки и другие портативные устройства, где одновременно требуются высокая плотность памяти и низкое энергопотребление.
При этом заявленный 50-процентный прирост плотности производства не означает автоматически 50-процентного увеличения производительности конечного устройства. В случае с производством чипов речь идет о количестве кристаллов, которое потенциально можно получить с одной кремниевой пластины. На практике итоговый выход годных микросхем зависит от качества производства и других факторов.
Почему это важно для рынка памяти
Появление G5 происходит на фоне усиливающейся конкуренции в секторе DRAM, где исторически доминируют Samsung, SK hynix и Micron.
CXMT стремится увеличить присутствие Китая на этом рынке и сократить зависимость местной электронной промышленности от зарубежных поставщиков. В последние годы развитие китайской полупроводниковой отрасли также происходит в условиях ограничений США на поставки в страну ряда передовых технологий и оборудования для производства микросхем.
Новая платформа особенно интересна тем, что речь идет уже не о лабораторном прототипе: CXMT заявляет именно о массовом производстве. Компания одновременно наращивает объем выпуска кремниевых пластин, готовясь к дальнейшему расширению производства.
При этом заявления самой CXMT о сопоставимости G5 с передовыми зарубежными технологиями следует воспринимать именно как позицию производителя. Независимая оценка реальной производительности, энергопотребления, выхода годных кристаллов и себестоимости новых чипов позволит точнее определить их положение относительно продукции Samsung, SK hynix и Micron.
Для CXMT запуск G5 — важный технологический этап. Компания переходит к более плотному производству DRAM и одновременно увеличивает емкость выпускаемых чипов. В перспективе это может сделать китайского производителя заметно более серьезным участником мирового рынка оперативной памяти.
Пока же наиболее конкретный результат уже виден: новые 24-Гбит LPDDR5X находятся в массовом производстве, а сама G5 стала основой для дальнейшего расширения линейки продукции CXMT. Насколько далеко компании удастся продвинуться в конкуренции с крупнейшими мировыми производителями памяти, покажут реальные характеристики серийных чипов и масштабы их поставок.
