Большинство современных компьютеров имеют до 16 гигабайт оперативной памяти. Но компания Samsung решила резко повысить ставки и представила модуль ОЗУ объемом 512 ГБ.
Модуль раскрывает потенциал памяти DDR5 с точки зрения скорости и способности. Он использует технологию High-K Metal Gate (HKMG), обеспечивая скорость в 7200 Мбит/с. Это вдвое выше скорости памяти стандарта DDR4. Со скоростью 7200 Мбит/с модуль обеспечивает скорость передачи приблизительно в 57,6 ГБ/с на одном канале.
Планка памяти использует восемь слоев микросхем DRAM плотностью 16 Гбит, объединённых посредством технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (Through-Silicon Vias, TSV).
В данный момент гигантский модуль памяти рассчитан на работу в суперкомпьютерах, обработку искусственного интеллекта и функции машинного обучения. Но в Samsung убеждены, что со временем модули объемом 512 ГБ найдут дорогу и в обычные домашние компьютеры, где будут использоваться для игр и повседневных нужд.
В целом же, первые потребительские планки оперативной памяти DDR5 (меньшего объема) должны появиться на рынке уже в 2022 году.
