IBM и Samsung создали технологию 1-нм вертикальных транзисторов VTFET. Благодаря этой технологии чипы будут потреблять на 85% меньше энергии, а смартфоны смогут работать по неделе без подзарядки.
Название технологии VTFET расшифровывается как Vertical Transport Field Effect Transistors (вертикальные транспортные полевые транзисторы). Она позволяет производить более компактные микросхемы за счет того, что транзисторы в них размещаются не рядом друг с другом (технология FinFET), а вертикально. В теории, эта технология может обойти существующие ограничения и преодолеть рубеж в 1-нм.
По словам разработчиков, nранзисторы VTFET способны вдвое увеличить производительность, либо на 85% снизить потребление энергии по сравнению с традиционной технологией FinFET.
Технология может применяться при создании процессоров для смартфонов, ПК и других чипов. Кроме того, она позволит создать менее энергоемкий способ майнинга криптовалюты и шифрования данных.
В данный момент технология совершенствуется, а первые образцы проходят испытания.
