Ученые из Шанхайского института микросистем и информационных технологий Китайской академии наук разработали искусственный сапфир, который может стать прорывом в области электроники. Этот материал позволит создать более энергоэффективные микросхемы, которые будут меньше греться и дольше работать на одной зарядке.
Решение проблемы миниатюризации
Проблема миниатюризации транзисторов привела к тому, что традиционные диэлектрические материалы теряют свои свойства на наноуровне. Это одна из причин перегрева смартфонов и быстрого разряда батарей.
Разработанный китайскими учеными искусственный сапфир обладает кристаллической структурой, идентичной натуральному минералу, и превосходными диэлектрическими свойствами. Его толщина составляет всего 1,25 нанометра, что позволяет создавать более эффективные двумерные микросхемы.
Также важно, что технология производства искусственного сапфира довольно проста и может быть легко масштабирована для промышленного использования. Она совместима с существующими процессами производства кремниевых микрочипов, что открывает путь для широкого применения двумерных полупроводниковых материалов.
По мнению исследователей, это достижение может стать основой для создания следующего поколения высокопроизводительных электронных устройств, включая устройства искусственного интеллекта и интернета вещей.
Кроме того, разработка обладает большим потенциалом для увеличения срока службы батарей смартфонов.
