Разработан новый тип памяти, который изменит работу электронных устройств / Все новости / Главная

Физики из Ланкастерского университета продемонстрировали новый тип “универсальной памяти” ULTRARAM, которая объединяет в себе достоинства оперативной памяти и долговременного хранилища. Это может оказать огромное влияние на развитие компьютеров, смартфонов и прочей электроники.

“Универсальная память” - это память, которая сохраняет данные надежно и долговечно, но в то же время предоставляет максимально быстрый доступ для их изменения. До сих пор такое сочетание считалось невозможным.

В настоящее время в технике используется память двух основных типов. Первый тип - динамическая память, она же оперативная (ОЗУ). ОЗУ работает очень быстро, потому используется для активной работы. К сожалению, эта быстрая память является энергозависимой. Когда вы выключаете компьютер, она очищается. 

Второй тип - накопители (флеш-память, жесткие диски, внешние носители и т.д.). Накопители хранят информацию, даже будучи отключенным от питания. Увы, они работают медленно. Даже самые быстрые современные твердотельные диски (SSD) работают в десятки раз медленнее оперативной памяти. Как следствие, для активной работы такую память использовать нельзя. 

ULTRARAM объединяет лучшие свойства накопителей и ОЗУ. По сути, ее можно считать как энергонезависимой оперативной памятью, так и сверхбыстрым накопителем информации. Но чем бы вы ее не считали, нельзя отрицать, насколько важной может оказаться эта технология для всех современных технологий. Лишь представьте, что весь объем свободной памяти вашего компьютера одновременно является объемом его оперативной памяти. Или представьте “жесткий диск”, работающий со скоростью оперативной памяти. ULTRARAM способна изменить само базовое устройство вычислительной машины, которое не менялось десятилетиями. 

По словам ученых, в работе универсальной памяти используется квантовый механический эффект, называемый резонансным туннелированием. Этот эффект позволяет цепи размыкаться или замыкаться под воздействием мизерного напряжения. Статья, опубликованная в свежем выпуске журнала IEEE Transactions on Electron Devices, подробно описывает детали этого процесса и предлагает механизм считывания для ячеек памяти, позволяющий работать с большими массивами. 

Пока сложно сказать, когда новая память выйдет на рынок и станет доступна простому пользователю. Но, учитывая то, насколько прорывной является эта технология, вряд ли производители “железа” обойдут это открытие своим вниманием.

 

Если хотите получать новости через мессенджер, подписывайтесь на новый Telegram-канал iGate

Похожие новости
Комментарии

comments powered by Disqus
Мы в социальных сетях: