Компания Samsung Electronics первой в отрасли освоила массовый выпуск микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM по технологии 10-нанометрового класса. Соответствующий анонс сделан сегодня, 5 апреля.
Методика 10-нанометрового класса предполагает нормы от 10 до 19 нанометров. По сравнению с аналогичными изделиями 20-нанометрового класса (от 20 до 29 нанометров) энергопотребление чипов может быть снижено на 10–20 %. К тому же число кристаллов на пластине увеличивается на 30 %, что позволяет снизить их себестоимость.
В настоящее время Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (названа цифра в 3200 Мбит/с).
В дальнейшем, как ожидается, технология 10-нанометрового класса будет задействована при изготовлении модулей ОЗУ ёмкостью от 4 до 128 Гбайт. Они найдут применение в ноутбуках, настольных компьютерах, рабочих станциях, серверах и другом оборудовании, в том числе корпоративного класса.
Информация предоставлена ресурсом IGate по материалам ComputerWorld
