Согласно информации от китайских источников, компания Qualcomm собирается поделиться подробностями о новом процессоре Snapdragon 820 уже в следующий вторник, 11 августа, на специальной пресс-конференции в Лас-Вегасе. Впервые этот чип был представлен в начале этого года на выставке MWC 2015, но тогда производителем было объявлено, что он выполнен по 14-нм техпроцессу компании Samsung и оборудован 64-разрядными ядрами Kryo, выполненными по технологии FinFET.
Ранее директор по исследованиям компании IHS Technology Chin Кевин Ван заявил, что Snapdragon 820 не будет перегреваться, и производителям не стоит опасаться использовать его в своих устройствах. Напомним, что первая версия Snapdragon 810 была склона к сильному перегреву, из-за чего производителям приходилось понижать рабочую частоту процессора.
Согласно имеющейся информации, Snapdragon 820 получит два кластера по два 64-разрядных ядра Kryo, способные работать на максимальной тактовой частоте до 3 ГГц, но в коммерческой версии два ядра будут работать на частоте 2,2 ГГц, а остальные два - на частоте 1,7 ГГц. Также известно, что процессор получит графический ускоритель Adreno 530 с частотой 650 МГц, поддержку оперативной памяти LPDDR4 и встроенный модем LTE Cat. 10.
Поставки Snapdragon 820 должны начаться не раньше декабря этого года, а первым устройством на базе этого чипа, как сообщается, станет Xiaomi Mi5, который будет представлен в марте следующего года.
Информация предоставлена ресурсом IGate по материалам phonearena
