Samsung активно работает над ускорением разработки перспективной технологии памяти, известной как Selector-Only Memory (SOM). Новая технология сочетает в себе стабильность флэш-памяти и высокую скорость чтения/записи оперативной памяти DRAM, что делает ее потенциальным прорывом в индустрии хранения данных. Кроме того, производители смогут создавать многослойные чипы для достижения более высокой плотности.
Как это работает?
Основная идея SOM заключается в использовании уникальных халькогенидных материалов, которые выполняют двойную функцию: ячейки памяти и селекторного устройства. В традиционных фазопеременных или резистивных типах памяти требуется отдельный компонент, такой как транзистор, для активации каждой ячейки. В отличие от них, халькогенидный материал в SOM переключается между проводящим и резистивным состояниями для хранения данных.
Однако не всякий халькогенидный материал подходит для этой цели. Материалы должны обладать оптимальными свойствами для обеспечения высокой производительности памяти и функциональности селектора.
Чтобы найти подходящий кандидат, Samsung использовал продвинутое компьютерное моделирование для прогнозирования потенциала различных комбинаций материалов. Компания оценивает, что более 4000 потенциальных халькогенидных смесей могут подойти для SOM. К сожалению, отбор всех этих вариантов с помощью физических экспериментов был бы кошмаром с точки зрения затрат и времени.
Исследователи Samsung нашли обходной путь, используя сложные симуляции для проверки тысяч комбинаций халькогенидов. Исследовательская группа моделировала все, от свойств связывания до термической стабильности и электрического поведения, сократив список до 18 основных кандидатов для изготовления и тестирования.
Моделирование учитывало такие ключевые показатели, как дрейф порогового напряжения и "окно памяти", разделяющее включенное и выключенное состояния с течением времени. Samsung утверждает, что их методы моделирования устанавливают четкие критерии отбора для идентификации наиболее перспективных смесей материалов для создания SOM.
Команда планирует представить свои результаты на Международной конференции по электронным устройствам в декабре. Тем временем, Samsung заявляет, что моделирование позволило потенциально обнаружить высокопроизводительные материалы-аутсайдеры, которые могли бы быть упущены при использовании только традиционных экспериментальных методов.
Это ускорение вычислительных процессов может дать Samsung значительное преимущество в гонке за выведение SOM на рынок. В прошлом году на той же конференции компания представила результаты работы 64-гигабитного чипа SOM с чрезвычайно плотной ячейкой размером 16 нм, что подтверждает его серьезные намерения.
